Galium Nitrure Substrates|GaN-Oblatoj

Galio-Nitruraj Substratoj|GaN-Oblatoj Elstara Bildo

Mallonga priskribo:

Galio nitruro (GaN), kiel siliciokarbido (SiC) materialoj, apartenas al la tria generacio de semikonduktaĵoj materialoj kun larĝa benda breĉo larĝa, kun granda benda breĉo larĝo, alta varmokondukteco, alta elektrona satura migrado indico, kaj alta paneo elektra kampo elstara. karakterizaĵoj.GaN-aparatoj havas ampleksan gamon de aplikaj perspektivoj en altfrekvencaj, alta rapideco kaj alta potenco postulokampoj kiel LED-energioŝpara lumigado, lasera projekcia ekrano, novaj energiaj veturiloj, inteligenta krado, 5G komunikado.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

La triageneraciaj semikonduktaĵmaterialoj plejparte inkluzivas SiC, GaN, diamanton, ktp., ĉar ĝia bendinterspaco larĝo (Eg) estas pli granda ol aŭ egala al 2.3 elektronvoltoj (eV), ankaŭ konataj kiel larĝa bendinterspaco duonkonduktmaterialoj.Kompare kun la unua kaj dua generacio semikonduktaĵmaterialoj, la tria generacio semikonduktaĵo materialoj havas la avantaĝojn de alta termika konduktiveco, alta paneo elektra kampo, alta saturita elektrona migra indico kaj alta kunliga energio, kiuj povas plenumi la novajn postulojn de moderna elektronika teknologio por alta. temperaturo, alta potenco, alta premo, alta frekvenco kaj radiada rezisto kaj aliaj severaj kondiĉoj.Ĝi havas gravajn aplikajn perspektivojn en la kampoj de nacia defendo, aviado, aerospaco, nafto-esplorado, optika stokado, ktp., kaj povas redukti energian perdon je pli ol 50% en multaj strategiaj industrioj kiel larĝbendaj komunikadoj, suna energio, aŭtomobila fabrikado, duonkonduktaĵo-lumigado, kaj inteligenta krado, kaj povas redukti ekipaĵan volumon je pli ol 75%, kio estas de mejloŝtona signifo por la disvolviĝo de homaj scienco kaj teknologio.

Item 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diametro 晶圆直径	50,8 ± 1 mm
Dikeco厚度	350 ± 25 μm
Orientiĝo 晶向	C-ebeno (0001) de angulo al M-akso 0,35 ± 0,15°
Prime Flat 主定位边	(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm
Malĉefa Flat 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
Kondukto 导电性	N-tipo	N-tipo	Semi-Izola
Rezistemo (300K) 电阻率	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
ĈARKO 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Vizaĝo Surfaca Malglateco Ga面粗糙度	< 0,2 nm (polurita);
	aŭ < 0.3 nm (polurita kaj surfaca traktado por epitaksio)
N Vizaĝo Surfaca Malglateco N面粗糙度	0,5 ~1,5 μm
	opcio: 1~3 nm (fajna grundo);< 0,2 nm (polurita)
Dislokiĝo Denso 位错密度	De 1 x 105 ĝis 3 x 106 cm-2 (kalkulita de CL)*
Makrodifekta Denso 缺陷密度	< 2 cm-2
Uzebla Areo 有效面积	> 90% (ekskludo de randaj kaj makro-difektoj)
Povas esti personecigita laŭ kliento postuloj, malsama strukturo de silicio, safiro, SiC bazita GaN epitaxial folio.