Semicera Semicera disponigas specialiĝintajn tantalkarbidojn (TaC) tegaĵojn por diversaj komponentoj kaj aviad-kompanioj.Semicera Semicera gvidanta tegprocezo ebligas tegaĵojn de tantalokarbido (TaC) atingi altan purecon, altan temperaturan stabilecon kaj altan kemian toleremon, plibonigante produktokvaliton de SIC/GAN-kristaloj kaj EPI-tavoloj (Grafito kovrita TaC-susceptoro), kaj plilongigante la vivon de esencaj reaktorkomponentoj.La uzo de tantala carburo TaC tegaĵo estas solvi la randproblemon kaj plibonigi la kvaliton de kristala kresko, kaj Semicera Semicera trarompo solvis la tantala carburo tegteknologio (CVD), atingante la internacia altnivela nivelo.
Post jaroj da evoluo, Semicera konkeris la teknologion deCVD TaCkun la komunaj klopodoj de la R&D-sekcio.Difektoj facile okazas en la kreskoprocezo de SiC-oblatoj, sed post uzadoTaC, la diferenco estas grava.Malsupre estas komparo de oblatoj kun kaj sen TaC, same kiel partoj de Simicera por unukristala kresko
kun kaj sen TaC
Post uzado de TaC (dekstre)
Krome, la servodaŭro de la TaC-tegaĵoj de Semicera estas pli longa kaj pli imuna al alta temperaturo ol tiu de SiC-tegaĵo.Post longa tempo da laboratoriaj mezuradoj, nia TaC povas labori dum longa tempo je maksimume 2300 celsiusgradoj.La jenaj estas kelkaj el niaj specimenoj:
(a) Skema diagramo de SiC unukristala ingota kultiva aparato per PVT-metodo (b) Supra TaC kovrita semkrampo (inkluzive de SiC-semo) (c) TAC-tegita grafita gvidringo
