Produkta Priskribo
4h-n 4 coloj 6 coloj dia100mm sic sema oblato 1mm dikeco por ingota kresko
Agordita grandeco/2 coloj/3 coloj/4 coloj/6 coloj 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingotoj/Alta pureco 4H-N 4 coloj 6 coloj dia 150 mm siliciokarburo unukristala (sic) substratoj oblatojS/ Agordita kiel-tranĉita sic4oblato grado 4H-N 1.5mm SIC Oblatoj por sema kristalo
Pri Silicon Carbide (SiC)Crystal
Siliciokarbido (SiC), ankaŭ konata kiel karborundum, estas duonkonduktaĵo enhavanta silicion kaj karbonon kun kemia formulo SiC. SiC estas uzata en duonkonduktaĵaj elektronikaj aparatoj, kiuj funkcias ĉe altaj temperaturoj aŭ altaj tensioj, aŭ ambaŭ. SiC ankaŭ estas unu el la gravaj LED-komponentoj, ĝi estas populara substrato por kreskigado de GaN-aparatoj, kaj ĝi ankaŭ servas kiel varmodisvastigilo en alta- potencaj LEDoj.
Priskribo
| Proprieto | 4H-SiC, Ununura Kristalo | 6H-SiC, Ununura Kristalo |
| Kradaj Parametroj | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Stakiĝanta Sekvenco | ABCB | ABCACB |
| Mohs Malmoleco | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Denso | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Koeficiento de ekspansio | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Refrakcio-Indekso @750nm | ne = 2,61 | ne = 2,60 |
| Dielektrika Konstanto | c~9.66 | c~9.66 |
| Termika Kondukto (N-tipo, 0.02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| Termika Kondukto (Duonizola) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Band-breĉo | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Malkonstrua Elektra Kampo | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Saturiga Drivo-Velocity | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
