Priskribo
CVD-SiC-tegaĵo havas la karakterizaĵojn de unuforma strukturo, kompakta materialo, alta temperaturrezisto, oksidiĝa rezisto, alta pureco, acida kaj alkala rezisto kaj organika reakciilo, kun stabilaj fizikaj kaj kemiaj propraĵoj.
Kompare kun altpuraj grafitaj materialoj, grafito komencas oksidiĝi je 400C, kio kaŭzos perdon de pulvoro pro oxidado, rezultigante median poluadon al ekstercentraj aparatoj kaj malplenaj ĉambroj, kaj pliigos malpuraĵojn de altpura medio.
Tamen, SiC-tegaĵo povas konservi fizikan kaj kemian stabilecon je 1600 gradoj, Ĝi estas vaste uzata en moderna industrio, precipe en semikonduktaĵo-industrio.
Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, por ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon.La SIC formita estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn proprietojn, tiel farante la surfacon de la grafito kompakta, Porosity-libera, alta temperatura rezisto, koroda rezisto kaj oxidada rezisto.
Apliko
Ĉefaj trajtoj
1 .Alta pureco SiC tegita grafito
2. Supera varmorezisto & termika unuformeco
3. Fine SiC-kristalo kovrita por glata surfaco
4. Alta fortikeco kontraŭ kemia purigado
Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵoj
| SiC-CVD | ||
| Denso | (g/cc) | 3.21 |
| Fleksa forto | (Mpa) | 470 |
| Termika ekspansio | (10-6/K) | 4 |
| Termika kondukteco | (W/mK) | 300 |
Pakado kaj Sendado
Kapablo de Provizo:
10000 Peco/Pecoj por Monato
Pakado kaj Livero:
Pakado: Norma kaj Forta Pakado
Polisako + Skatolo + Kartono + Paleto
Haveno:
Ningbo/Ŝenĵen/Ŝanhajo
Antaŭtempa Tempo:
| Kvanto (Pecoj) | 1 – 1000 | >1000 |
| Est.Tempo (tagoj) | 15 | Intertraktenda |
