SiC tegita procezo por grafita bazo SiC Coated Graphite Carriers

Ni konservas tre proksimajn toleremojn dum aplikado de laSiC tegaĵo, uzante alt-precizecan maŝinadon por certigi unuforman susceptorprofilon.Ni ankaŭ produktas materialojn kun idealaj elektraj rezistaj propraĵoj por uzo en indukte varmigitaj sistemoj.Ĉiuj pretaj komponantoj venas kun atestilo pri pureco kaj dimensia konformeco.

Nia kompanio provizasSiC tegaĵoprocezo servoj per CVD metodo sur la surfaco de grafito, ceramiko kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbono kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri alta pureco SiC molekuloj, molekuloj deponitaj sur la surfaco de la tegitaj materialoj, formante SIC protekta tavolo.La SIC formita estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn proprietojn, tiel farante la surfacon de la grafito kompakta, Porosity-libera, alta temperatura rezisto, koroda rezisto kaj oxidada rezisto.

CVD-procezo liveras ekstreme altan purecon kaj teorian densecon deSiC tegaĵosen poreco.Krome, ĉar siliciokarbido estas tre malmola, ĝi povas esti polurita al spegul-simila surfaco.Tegaĵo de CVD silicikarbido (SiC).liveris plurajn avantaĝojn inkluzive de ultra-alta pureca surfaco kaj ekstreme eluzebla fortikeco.Ĉar la kovritaj produktoj havas bonegan rendimenton en alta vakuo kaj alta temperatura cirkonstanco, ili estas idealaj por aplikoj en duonkondukta industrio kaj alia ultra-pura medio.Ni ankaŭ provizas pirolizajn grafitajn (PG) produktojn.