Semikonduktaĵo Silicio bazita GaN epitaksio

Mallonga priskribo:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. estas ĉefa provizanto de altnivelaj semikonduktaĵaj ceramikaĵoj kaj la nura fabrikisto en Ĉinio, kiu povas samtempe provizi altpuran silician carburan ceramikon (precipe la Rekristaligita SiC) kaj CVD-SiC tegaĵon.Krome, nia kompanio ankaŭ kompromitas al ceramikaj kampoj kiel ekzemple alumino, aluminio-nitruro, zirkonio kaj silicio-nitruro, ktp.

 

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Silici-bazita GaN epitaksio

Priskribo de la produkto

Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, por ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon.

Ĉefaj trajtoj:

1. Alta temperatura oksida rezisto:

la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.

2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponaĵo sub alta temperatura klorina kondiĉo.

3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.

4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵo

SiC-CVD Propraĵoj

Kristala Strukturo

FCC β-fazo

Denso

g/cm³

3.21

Malmoleco

Vickers-malmoleco

2500

Grajna Grandeco

μm

2~10

Kemia pureco

%

99.99995

Varmo Kapacito

J·kg-1 ·K-1

640

Temperaturo de sublimado

2700

Feleksura Forto

MPa (RT 4-punkto)

415

Modulo de Young

Gpa (4pt-kurbo, 1300℃)

430

Termika Vastiĝo (CTE)

10-6K-1

4.5

Termika kondukteco

(W/mK)

300

Semicera Laborloko
Semicera laborloko 2
Ekipaĵmaŝino
CNN-pretigo, kemia purigado, CVD-tegaĵo
Nia servo

  • Antaŭa:
  • Sekva: