Kio estas epitaksio?

Plej multaj inĝenieroj ne konasepitaksio, kiu ludas gravan rolon en semikonduktaĵa aparato fabrikado.Epitaksiopovas esti uzata en malsamaj blatproduktoj, kaj malsamaj produktoj havas malsamajn specojn de epitaksio, inkluziveSi epitaksio, SiC epitaksio, GaN epitaksio, ktp.

Kio estas epitaksio?
Epitaksio ofte estas nomita "Epitaksio" en la angla. La vorto venas de la grekaj vortoj "epi" (signifanta "supre") kaj "taksio" (signifanta "aranĝo"). Kiel la nomo sugestas, ĝi signifas aranĝi bonorde supre de objekto. La epitaksioprocezo devas deponi maldikan ununuran kristalan tavolon sur ununura kristala substrato. Tiu lastatempe deponita unukristala tavolo estas nomita epitaksa tavolo.

Estas du ĉefaj specoj de epitaksio: homoepitaxial kaj heteroepitaxial. Homoepitaxial rilatas al kultivado de la sama materialo sur la sama speco de substrato. La epitaksa tavolo kaj la substrato havas precize la saman kradstrukturon. Heteroepitaksio estas la kresko de alia materialo sur substrato de unu materialo. En ĉi tiu kazo, la krada strukturo de la epitaksie kreskigita kristala tavolo kaj la substrato povas esti malsamaj. Kio estas unukristaloj kaj polikristaloj?
En duonkonduktaĵoj, ni ofte aŭdas la terminojn unukristala silicio kaj polikristala silicio. Kial iuj silicio estas nomataj unukristaloj kaj iu silicio estas polikristala?

Ununura kristalo: La krada aranĝo estas kontinua kaj senŝanĝa, sen grenlimoj, tio estas, la tuta kristalo estas kunmetita de ununura krado kun konsekvenca kristala orientiĝo. Polikristalino: Polikristalino estas kunmetita de multaj malgrandaj grajnoj, ĉiu el kiuj estas ununura kristalo, kaj iliaj orientiĝoj estas hazardaj unu kun la alia. Tiuj grajnoj estas apartigitaj per grenlimoj. La produktokosto de polikristalaj materialoj estas pli malalta ol tiu de unukristaloj, do ili daŭre estas utilaj en iuj aplikoj. Kie la epitaksia procezo estos implikita?
En la fabrikado de silici-bazitaj integraj cirkvitoj, la epitaksia procezo estas vaste uzata. Ekzemple, silicia epitaksio kutimas kreskigi puran kaj fajne kontrolitan silician tavolon sur silicia substrato, kiu estas ekstreme grava por la fabrikado de progresintaj integraj cirkvitoj. Krome, en potencaj aparatoj, SiC kaj GaN estas du ofte uzataj larĝaj bendaj duonkonduktaĵoj kun bonegaj potenco-manipuladkapabloj. Tiuj materialoj estas kutime kultivitaj sur silicio aŭ aliaj substratoj tra epitaksio. En kvantuma komunikado, duonkondukt-bazitaj kvantumbitoj kutime uzas siliciajn germaniajn epitaksajn strukturojn. Ktp.

Metodoj de epitaksia kresko?

Tri ofte uzitaj semikonduktaĵaj epitaksiometodoj:

Molekula radio epitaksio (MBE): Molekula radio epitaksio) estas duonkondukta epitaksia kresko teknologio farita sub ultra-altaj vakuaj kondiĉoj. En ĉi tiu teknologio, la fontomaterialo estas vaporigita en formo de atomoj aŭ molekulaj faskoj kaj tiam deponita sur kristala substrato. MBE estas tre preciza kaj kontrolebla duonkonduktaĵo maldika filmo kresko teknologio kiu povas precize kontroli la dikecon de la deponita materialo ĉe la atomnivelo.

Metal organika CVD (MOCVD): En la MOCVD-procezo, organikaj metaloj kaj hidridgasoj enhavantaj la postulatajn elementojn estas liveritaj al la substrato ĉe taŭga temperaturo, kaj la postulataj semikonduktaĵoj estas generitaj per kemiaj reakcioj kaj deponitaj sur la substrato, dum la ceteraj. kunmetaĵoj kaj reagproduktoj estas eligitaj.

Vapor Phase Epitaxy (VPE): Vapor Phase Epitaxy estas grava teknologio ofte uzata en la produktado de duonkonduktaĵoj. Ĝia baza principo estas transporti la vaporon de ununura substanco aŭ kunmetaĵo en portanta gaso kaj deponi kristalojn sur substrato per kemiaj reakcioj.