Kiel unu el la kernaj komponantoj deMOCVD-ekipaĵo, grafita bazo estas la portanto kaj hejta korpo de la substrato, kiu rekte determinas la unuformecon kaj purecon de la filmmaterialo, do ĝia kvalito rekte influas la preparadon de la epitaxial folio, kaj samtempe, kun la pliiĝo de la nombro de uzoj kaj la ŝanĝo de laborkondiĉoj, ĝi estas tre facile porti, apartenanta al la konsumeblaj.
Kvankam grafito havas bonegan varmokonduktivecon kaj stabilecon, ĝi havas bonan avantaĝon kiel baza komponanto deMOCVD-ekipaĵo, sed en la produktada procezo, grafito korodos la pulvoron pro la restaĵo de korodaj gasoj kaj metalaj organikaj substancoj, kaj la funkcidaŭro de la grafita bazo multe malpliiĝos.Samtempe, la falanta grafita pulvoro kaŭzos poluon al la blato.
La apero de tegaĵo-teknologio povas provizi surfacan pulvoran fiksadon, plibonigi termikan konduktivecon kaj egaligi varmodistribuon, kiu fariĝis la ĉefa teknologio por solvi ĉi tiun problemon.Grafita bazo enMOCVD-ekipaĵouzu medion, grafita baza surfaca tegaĵo devas renkonti la sekvajn trajtojn:
(1) La grafita bazo povas esti plene envolvita, kaj la denseco estas bona, alie la grafita bazo estas facile korodebla en la koroda gaso.
(2) La kombina forto kun la grafita bazo estas alta por certigi, ke la tegaĵo ne facilas defali post pluraj cikloj de alta temperaturo kaj malalta temperaturo.
(3) Ĝi havas bonan kemian stabilecon por eviti fiaskon de tegaĵo en alta temperaturo kaj koroda atmosfero.
SiC havas la avantaĝojn de koroda rezisto, alta varmokondukteco, termika ŝoko rezisto kaj alta kemia stabileco, kaj povas funkcii bone en GaN epitaxial atmosfero.Krome, la termika vastiĝkoeficiento de SiC devias tre malgrande de tiu de grafito, tiel ke SiC estas la preferata materialo por la surfactegaĵo de grafitbazo.
Nuntempe, la komuna SiC estas ĉefe 3C, 4H kaj 6H tipo, kaj la SiC-uzoj de malsamaj kristalaj tipoj estas malsamaj.Ekzemple, 4H-SiC povas fabriki alt-potencajn aparatojn;6H-SiC estas la plej stabila kaj povas fabriki fotoelektrajn aparatojn;Pro ĝia simila strukturo al GaN, 3C-SiC povas esti uzita por produkti GaN epitaksan tavolon kaj produkti SiC-GaN RF-aparatojn.3C-SiC ankaŭ estas ofte konata kielβ-SiC, kaj grava uzo deβ-SiC estas kiel filmo kaj tega materialo, doβ-SiC estas nuntempe la ĉefa materialo por tegaĵo.
Afiŝtempo: Nov-06-2023