Antioksida alta pureca SiC kovrita MOCVD pleto

Kontraŭ-oksidado alta pureco Tegita MOCVD-pleto Elstara Bildo

Mallonga Priskribo:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. estas ĉefa provizanto specialiĝanta pri oblatoj kaj altnivelaj duonkonduktaĵoj konsumeblaj.Ni dediĉas sin al provizi altkvalitajn, fidindajn kaj novigajn produktojn al fabrikado de semikonduktaĵoj,fotovoltaika industriokaj aliaj rilataj kampoj.

Nia produkta linio inkluzivas SiC/TaC tegitajn grafitajn produktojn kaj ceramikajn produktojn, ampleksantajn diversajn materialojn kiel silicio-karbido, silicio-nitrudo kaj aluminio-oksido ktp.

Kiel fidinda provizanto, ni komprenas la gravecon de konsumeblaj en la produktada procezo, kaj ni kompromitas liveri produktojn, kiuj plenumas la plej altajn kvalitajn normojn por plenumi la bezonojn de niaj klientoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Priskribo

Nia kompanio provizasSiC tegaĵoprilaboraj servoj per CVD-metodo sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la tegitaj materialoj, formanteSiC protekta tavolo.

Ĉefaj Trajtoj

1. Alta temperatura oksida rezisto:
la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.
2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub alta temperatura klorina kondiĉo.
3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.
4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵo

SiC-CVD Propraĵoj
Kristala Strukturo	FCC β-fazo
Denso	g/cm³	3.21
Malmoleco	Vickers-malmoleco	2500
Grajna Grandeco	μm	2~10
Kemia pureco	%	99.99995
Varmo Kapacito	J·kg-1 ·K-1	640
Temperaturo de sublimado	℃	2700
Feleksura Forto	MPa (RT 4-punkto)	415
Modulo de Young	Gpa (4pt-kurbo, 1300℃)	430
Termika Vastiĝo (CTE)	10-6K-1	4.5
Termika kondukteco	(W/mK)	300