Priskribo
La SiC-tegitaj grafitaj susceptoroj de Semicera estas kreitaj uzante altkvalitajn grafitajn substratojn, kiuj estas zorge kovritaj per Silicia Karbido (SiC) per progresintaj procezoj de Chemical Vapor Deposition (CVD). Ĉi tiu pionira dezajno certigas esceptan reziston al termika ŝoko kaj kemia degenero, signife plilongigante la vivdaŭron de la SiC kovrita grafita susceptor kaj garantiante fidindan agadon dum la semikonduktaĵa produktadprocezo.
Ĉefaj Trajtoj:
1. Supera Termika KonduktoLa SiC kovrita grafita susceptor elmontras elstaran termikan konduktivecon, kiu estas decida por efika varmodissipado dum semikonduktaĵproduktado. Ĉi tiu trajto minimumigas termikajn gradientojn sur la oblatsurfaco, antaŭenigante unuforman temperaturdistribuon esencan por atingado de la dezirataj semikonduktaĵoj.
2. Fortika Kemia kaj Termika Ŝoka RezistoLa tegaĵo de SiC provizas enorman protekton kontraŭ kemia korodo kaj termika ŝoko, konservante la integrecon de la grafita susceptor eĉ en severaj pretigaj medioj. Ĉi tiu plibonigita fortikeco reduktas malfunkcion kaj plilongigas la vivdaŭron, kontribuante al pliigita produktiveco kaj kostefikeco en semikonduktaĵaj produktadinstalaĵoj.
3. Personigo por Specifaj BezonojNiaj SiC tegitaj grafitaj susceptoroj povas esti adaptitaj por plenumi specifajn postulojn kaj preferojn. Ni ofertas gamon da personigaj elektoj, inkluzive de grandecaj ĝustigoj kaj varioj en tegaĵo-dikeco, por certigi projekt-flekseblecon kaj optimumigitan agadon por malsamaj aplikoj kaj procezaj parametroj.
Aplikoj:
Aplikoj Semicera SiC-tegaĵoj estas utiligitaj en diversaj stadioj de semikonduktaĵproduktado, inkluzive de:
1. -LED Blato Fabrikado
2. -Polysilicon Produktado
3. -Semikonduktaĵo Kristala Kresko
4. -Silicon kaj SiC Epitaksio
5. - Termika Oksidado kaj Disvastigo (TO&D)
Teknikaj Specifoj:
