Priskribo
La SiC Wafer Susceptors de Semicorex por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) estas kreitaj por renkonti la postulatajn postulojn de epitaksiaj deponaj procezoj. Uzante altkvalitan Silician Carbiden (SiC), ĉi tiuj susceptoroj ofertas senekzemplan fortikecon kaj efikecon en alt-temperaturaj kaj korodaj medioj, certigante la precizan kaj efikan kreskon de duonkonduktaĵoj.
Ĉefaj Trajtoj:
1. Superaj Materialaj PropraĵojKonstruitaj el altkvalita SiC, niaj oblataj susceptoroj elmontras esceptan termikan konduktivecon kaj kemian reziston. Ĉi tiuj propraĵoj ebligas ilin elteni la ekstremajn kondiĉojn de MOCVD-procezoj, inkluzive de altaj temperaturoj kaj korodaj gasoj, certigante longvivecon kaj fidindan agadon.
2. Precizeco en Epitaxial DepositionLa preciza inĝenierado de niaj SiC Wafer Susceptors certigas unuforman temperaturdistribuon tra la obla surfaco, faciligante konsekvencan kaj altkvalitan epitaxian tavolkreskon. Ĉi tiu precizeco estas kritika por produkti duonkonduktaĵojn kun optimumaj elektraj trajtoj.
3. Plifortigita FortikecoLa fortika SiC-materialo disponigas bonegan reziston al eluziĝo kaj degenero, eĉ sub kontinua ekspozicio al severaj procezaj medioj. Ĉi tiu fortikeco reduktas la frekvencon de anstataŭigaj anstataŭantoj, minimumigante malfunkcion kaj funkciajn kostojn.
Aplikoj:
La SiC Wafer Susceptors de Semicorex por MOCVD estas ideale taŭgaj por:
• Epitaksia kresko de duonkonduktaĵoj
• Alt-temperaturaj MOCVD-procezoj
• Produktado de GaN, AlN, kaj aliaj kunmetitaj duonkonduktaĵoj
• Altnivelaj aplikoj de fabrikado de duonkonduktaĵoj
Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵoj:
Avantaĝoj:
•Alta Precizeco: Certigas unuforman kaj altkvalitan epitaksian kreskon.
•Longdaŭra Agado: Escepta fortikeco reduktas anstataŭan frekvencon.
• Kostefikeco: Minimumigas funkciajn kostojn per reduktita malfunkcio kaj prizorgado.
•Verstileco: Agordigebla por konveni diversajn MOCVD-procezpostulojn.
