SiC Coating Graphite Wafer Susceptor

Mallonga Priskribo:

La SiC Coating Graphite Wafer Susceptor de Semicera Semiconductor liveras superan termikan efikecon kaj fortikecon por oblatpretigo. Fidu je Semicera por altnivelaj SiC-tegitaj susceptoroj dizajnitaj por plibonigi efikecon kaj fidindecon en duonkonduktaĵo-aplikoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Priskribo

La SiC Wafer Susceptors de Semicorex por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) estas kreitaj por renkonti la postulatajn postulojn de epitaksiaj deponaj procezoj. Uzante altkvalitan Silician Carbiden (SiC), ĉi tiuj susceptoroj ofertas senekzemplan fortikecon kaj efikecon en alt-temperaturaj kaj korodaj medioj, certigante la precizan kaj efikan kreskon de duonkonduktaĵoj.

Ĉefaj Trajtoj:

1. Superaj Materialaj PropraĵojKonstruitaj el altkvalita SiC, niaj oblataj susceptoroj elmontras esceptan termikan konduktivecon kaj kemian reziston. Ĉi tiuj propraĵoj ebligas ilin elteni la ekstremajn kondiĉojn de MOCVD-procezoj, inkluzive de altaj temperaturoj kaj korodaj gasoj, certigante longvivecon kaj fidindan agadon.

2. Precizeco en Epitaxial DepositionLa preciza inĝenierado de niaj SiC Wafer Susceptors certigas uniforman temperaturdistribuon tra la oblasurfaco, faciligante konsekvencan kaj altkvalitan epitaxian tavolkreskon. Ĉi tiu precizeco estas kritika por produkti duonkonduktaĵojn kun optimumaj elektraj trajtoj.

3. Plifortigita FortikecoLa fortika SiC-materialo disponigas bonegan reziston al eluziĝo kaj degenero, eĉ sub kontinua ekspozicio al severaj procezaj medioj. Ĉi tiu fortikeco reduktas la frekvencon de anstataŭigaj anstataŭantoj, minimumigante malfunkcion kaj funkciajn kostojn.