Semicera estas memevoluintaSiC Ceramika Sigelo Partoestas desegnita por plenumi la altajn normojn de moderna semikonduktaĵfabrikado. Ĉi tiu sigela parto uzas altan rendimentonsiliciokarbido (SiC)materialo kun bonega eluziĝo-rezisto kaj kemia stabileco por certigi bonegan sigelan agadon en ekstremaj medioj. Kombinita kunaluminia rusto (Al2O3)kajsilicionitruro (Si3N4), ĉi tiu parto funkcias bone en alt-temperaturaj aplikoj kaj povas efike malhelpi gason kaj likvan elfluon.
Kiam uzata kune kun ekipaĵo kiel ekzempleoblatojkaj oblatoportistoj, tiu de SemiceraSiC Ceramika Sigelo Partopovas signife plibonigi la efikecon kaj fidindecon de la ĝenerala sistemo. Ĝia supera temperaturo-rezisto kaj koroda rezisto faras ĝin nemalhavebla komponanto en alt-precizeca semikonduktaĵfabrikado, certigante stabilecon kaj sekurecon dum la produktada procezo.
Krome, la dezajno de ĉi tiu sigela parto estis zorge optimumigita por certigi kongruon kun diversaj ekipaĵoj, faciligante ĝin uzi en malsamaj produktadlinioj. La R&D-teamo de Semicera daŭre laboras forte por antaŭenigi teknologian novigon por certigi la konkurencivon de siaj produktoj en la industrio.
Elektante Semicera'sSiC Ceramika Sigelo Parto, vi ricevos kombinaĵon de alta rendimento kaj fidindeco, helpante vin atingi pli efikajn produktadajn procezojn kaj bonegan produktan kvaliton. Semicera ĉiam kompromitas provizi klientojn per la plej bonaj duonkonduktaĵoj kaj servoj por antaŭenigi la kontinuan disvolviĝon kaj progreson de la industrio.
✓Paltkvalita en ĉina merkato
✓Bona servo ĉiam por vi, 7*24 horoj
✓ Mallonga dato de livero
✓Malgranda MOQ bonvena kaj akceptita
✓ Propraj servoj
Epitaksio Kresko Susceptor
Siliciaj/silicikarburaj oblatoj bezonas trapasi plurajn procezojn por esti uzataj en elektronikaj aparatoj. Grava procezo estas silicio/sic epitaksio, en kiu silicio/sic-oblatoj estas portitaj sur grafita bazo. Specialaj avantaĝoj de la grafita bazo de silicio-karbido kovrita de Semicera inkluzivas ekstreme altan purecon, unuforman tegaĵon kaj ekstreme longan funkcidaŭron. Ili ankaŭ havas altan kemian reziston kaj termikan stabilecon.
LED-Breto-Produktado
Dum la ampleksa tegaĵo de la MOCVD-reaktoro, la planeda bazo aŭ portanto movas la substratoblaton. La agado de la baza materialo havas grandan influon sur la tegaĵokvalito, kiu siavice influas la forĵetaĵon de la blato. La bazo de silicio-karbid-tegita de Semicera pliigas la fabrikan efikecon de altkvalitaj LED-oblatoj kaj minimumigas ondolongan devion. Ni ankaŭ provizas pliajn grafitajn komponantojn por ĉiuj MOCVD-reaktoroj nuntempe uzataj. Ni povas kovri preskaŭ ajnan komponanton per silicia karbura tegaĵo, eĉ se la komponenta diametro estas ĝis 1.5M, ni ankoraŭ povas kovri per silicia karbido.
Semikondukta Kampo, Oksidada Disvastigo, Ktp.
En la procezo de duonkonduktaĵo, la procezo de ekspansio de oksigenado postulas altan purecon de la produkto, kaj ĉe Semicera ni ofertas kutimajn kaj CVD-kovrajn servojn por la plimulto de partoj de silicio-karburoj.
La sekva bildo montras la krude prilaboritan silicikarburan suspensiaĵon de Semicea kaj la silicikarbidforntubon, kiu estas purigita en la 100.0-nivelosenpolvaĉambro. Niaj laboristoj laboras antaŭ tegado. La pureco de nia silicio-karbido povas atingi 99,99%, kaj la pureco de sic tegaĵo estas pli granda ol 99,99995%..
Kruda Silicon Carbide Paddle kaj SiC Process Tube en Cleaing
Silicia Karburo Wafer Boato CVD SiC Tegita
