Priskribo
La Semicera GaN Epitaxy Carrier estas zorge desegnita por plenumi la striktajn postulojn de moderna fabrikado de semikonduktaĵoj. Kun fundamento de altkvalitaj materialoj kaj precizeca inĝenierado, ĉi tiu portanto elstaras pro sia escepta rendimento kaj fidindeco. La integriĝo de Tegaĵo de Silicia Karburo (SiC) de Chemical Vapor Deposition (CVD) certigas superan fortikecon, termikan efikecon kaj protekton, igante ĝin preferata elekto por industriaj profesiuloj.
Ŝlosilaj Trajtoj
1. Escepta FortikecoLa tegaĵo CVD SiC sur la GaN Epitaxy Carrier plibonigas sian reziston al eluziĝo kaj signife plilongigante sian funkcian vivon. Ĉi tiu fortikeco certigas konsekvencan agadon eĉ en postulemaj produktadmedioj, reduktante la bezonon de oftaj anstataŭaĵoj kaj prizorgado.
2. Supera Termika EfikecoTermika administrado estas kritika en semikonduktaĵproduktado. La altnivelaj termikaj propraĵoj de la GaN Epitaxy Carrier faciligas efikan varmodissipadon, konservante optimumajn temperaturkondiĉojn dum la epitaksia kreskoprocezo. Ĉi tiu efikeco ne nur plibonigas la kvaliton de la semikonduktaĵaj oblatoj sed ankaŭ plibonigas ĝeneralan produktan efikecon.
3. Protektaj KapablojLa tegaĵo de SiC provizas fortan protekton kontraŭ kemia korodo kaj termikaj ŝokoj. Ĉi tio certigas, ke la integreco de la portanto estas konservita dum la produktada procezo, protektante la delikatajn semikonduktajn materialojn kaj plibonigante la ĝeneralan rendimenton kaj fidindecon de la produktada procezo.
Teknikaj Specifoj:
Aplikoj:
La Semicorex GaN Epitaxy Carrier estas ideala por diversaj semikonduktaĵaj produktadprocezoj, inkluzive de:
• GaN epitaksa kresko
• Alt-temperaturaj duonkonduktaj procezoj
• Kemia Vapora Deponado (CVD)
• Aliaj altnivelaj semikonduktaĵoj fabrikado aplikoj
