-
Sema Kristala Prepara Procezo en SiC Ununura Kristala Kresko (Parto 2)
2. Eksperimenta Procezo 2.1 Resanigo de Adhesiva FilmoOni observis, ke rekte krei karbonfilmon aŭ ligi kun grafita papero sur SiC-oblatoj kovritaj per gluaĵo kondukis al pluraj problemoj: 1. Sub vakuokondiĉoj, la glua filmo sur SiC-oblatoj evoluigis skvamecan aspekton pro tio. subskribi...Legu pli -
Sem Crystal Preparation Process in SiC Single Crystal Growth
Silicia karburo (SiC) materialo havas la avantaĝojn de larĝa bandgap, alta termika konduktiveco, alta kritika rompo kampa forto, kaj alta saturita elektrona drivo rapido, igante ĝin tre promesplena en la semikonduktaĵo fabrikado kampo. SiC ununuraj kristaloj estas ĝenerale produktitaj tra ...Legu pli -
Kio estas la metodoj por oblato polurado?
De ĉiuj procezoj implikitaj en kreado de blato, la fina sorto de la oblato estas tranĉota en individuajn ĵetkubojn kaj enpakita en malgrandaj, enfermitaj skatoloj kun nur kelkaj stiftoj eksponitaj. La blato estos taksita surbaze de siaj sojlo, rezisto, kurento kaj tensio-valoroj, sed neniu konsideros ...Legu pli -
La Baza Enkonduko de SiC Epitaxial Growth Process
Epitaxial tavolo estas specifa ununura kristala filmo kreskigita sur la oblato per ep·itaxial procezo, kaj la substratoblato kaj epitaxial filmo estas nomitaj epitaxial oblato. Kreskante la siliciokarburan epitaksian tavolon sur la kondukta silicia karbura substrato, la siliciokarbura homogena epitaksia...Legu pli -
Ŝlosilaj punktoj de duonkondukta pakaĵproceza kontrolo de kvalito
Ŝlosilaj Punktoj por Kvalita Kontrolo en Semikonduktaĵa Pakado-Procezo Nuntempe, la proceza teknologio por semikonduktaĵa pakado signife pliboniĝis kaj optimumiĝis. Tamen, de ĝenerala perspektivo, la procezoj kaj metodoj por semikonduktaĵa pakado ankoraŭ ne atingis la plej perfektan ...Legu pli -
Defioj en Semiconductor Packaging Process
La nunaj teknikoj por duonkonduktaĵo-pakaĵo iom post iom pliboniĝas, sed la amplekso al kiu aŭtomatigitaj ekipaĵoj kaj teknologioj estas adoptitaj en duonkonduktaĵpakaĵo rekte determinas la realigon de atendataj rezultoj. La ekzistantaj semikonduktaĵaj pakprocezoj ankoraŭ suferas pro ...Legu pli -
Esplorado kaj Analizo de Semikonduktaĵa Pakado
Superrigardo de Semikonduktaĵo-ProcezoLa duonkonduktaĵprocezo ĉefe implikas apliki mikrofabrikadon kaj filmteknologiojn por plene ligi blatojn kaj aliajn elementojn ene de diversaj regionoj, kiel ekzemple substratoj kaj kadroj. Ĉi tio faciligas la eltiron de plumboterminaloj kaj enkapsuligon kun...Legu pli -
Novaj Tendencoj en la Semikonduktaĵa Industrio: La Apliko de Protekta Tegaĵo-Teknologio
La duonkonduktaĵo-industrio atestas senprecedencan kreskon, precipe en la sfero de siliciokarburo (SiC) potenca elektroniko. Kun multaj grandskalaj oblatfabrikoj spertantaj konstruon aŭ vastiĝon por renkonti la kreskantan postulon je SiC-aparatoj en elektraj veturiloj, ĉi tio ...Legu pli -
Kio estas la ĉefaj paŝoj en la prilaborado de SiC-substratoj?
Kiel ni produktas-pretigajn paŝojn por SiC-substratoj estas jenaj: 1. Kristala Orientiĝo: Uzante X-radian difrakton por orienti la kristalan ingoton. Kiam Rentgenfota fasko estas direktita al la dezirata kristala vizaĝo, la angulo de la difrakta fasko determinas la kristalan orientiĝon...Legu pli -
Grava materialo, kiu determinas la kvaliton de unukristala silicio-kresko - termika kampo
La kreskoprocezo de unukristala silicio estas tute efektivigita en la termika kampo. Bona termika kampo estas favora al plibonigo de kristala kvalito kaj havas altan kristaligan efikecon. La dezajno de la termika kampo plejparte determinas la ŝanĝojn kaj ŝanĝojn...Legu pli -
Kio estas epitaksia kresko?
Epitaksia kresko estas teknologio kiu kreskigas ununuran kristalan tavolon sur ununura kristala substrato (substrato) kun la sama kristala orientiĝo kiel la substrato, kvazaŭ la origina kristalo etendiĝis eksteren. Ĉi tiu lastatempe kreskinta unukristala tavolo povas esti diferenca de la substrato laŭ c...Legu pli -
Kio estas la diferenco inter substrato kaj epitaksio?
En la procezo de preparado de oblatoj, ekzistas du kernaj ligoj: unu estas la preparado de la substrato, kaj la alia estas la efektivigo de la epitaksia procezo. La substrato, oblato zorge kreita el duonkondukta unukristala materialo, povas esti rekte metita en la fabrikadon de oblatoj ...Legu pli