-
Semikonduktaĵa Fabrikado-Procezo - Etch Technology
Centoj da procezoj estas postulataj por turni oblaton en duonkonduktaĵon. Unu el la plej gravaj procezoj estas akvaforto - tio estas, ĉizi bonajn cirkvitajn ŝablonojn sur la oblato. La sukceso de la akvaforta procezo dependas de administrado de diversaj variabloj ene de fiksita distribua gamo, kaj ĉiu akvaforto...Legu pli -
Ideala Materialo por Fokuso-Ringoj en Plasma Akvaforta Ekipaĵo: Silicia Karbido (SiC)
En plasma akvaforta ekipaĵo, ceramikaj komponentoj ludas decidan rolon, inkluzive de la fokusa ringo. La fokusringo, metita ĉirkaŭ la oblato kaj en rekta kontakto kun ĝi, estas esenca por enfokusigi la plasmon sur la oblaton aplikante tensionon al la ringo. Ĉi tio plibonigas la mal...Legu pli -
Antaŭa Finaĵo de Linio (FEOL): Metado de la Fundamento
La antaŭa fino de la produktserio estas kiel meti la fundamenton kaj konstrui la murojn de domo. En semikonduktaĵproduktado, tiu stadio implikas krei la bazajn strukturojn kaj transistorojn sur silicioblato. Ŝlosilaj Paŝoj de FEOL: ...Legu pli -
Efiko de silicio-karbura unukristala pretigo sur oblasurfaca kvalito
Semikonduktaĵaj potencaj aparatoj okupas kernan pozicion en potencaj elektronikaj sistemoj, precipe en la kunteksto de la rapida evoluo de teknologioj kiel artefarita inteligenteco, 5G-komunikadoj kaj novaj energiaj veturiloj, la agado postuloj por ili estis ...Legu pli -
Ŝlosila kerna materialo por SiC-kresko: Tantala karbura tegaĵo
Nuntempe, la tria generacio de duonkonduktaĵoj estas dominita per siliciokarbido. En la koststrukturo de ĝiaj aparatoj, la substrato respondecas pri 47%, kaj la epitaksio respondecas pri 23%. La du kune okupas ĉirkaŭ 70%, kio estas la plej grava parto de la fabrikado de silicikarburaj aparatoj...Legu pli -
Kiel tegitaj produktoj de tantalo-karbido plibonigas la korodan reziston de materialoj?
Tantala karbura tegaĵo estas ofte uzata surfaca traktado-teknologio, kiu povas signife plibonigi la korodan reziston de materialoj. Tantala karbura tegaĵo povas esti alfiksita al la surfaco de la substrato per malsamaj preparmetodoj, kiel kemia vapordemetado, fiziko...Legu pli -
Hieraŭ, la Scienca kaj Teknologia Noviga Estraro publikigis anoncon, ke Huazhuo Precision Technology ĉesigis sian IPO!
Ĵus anoncis la liveron de la unua 8-cola SIC-lasera kalcia ekipaĵo en Ĉinio, kiu ankaŭ estas la teknologio de Tsinghua; Kial ili mem retiris la materialojn? Nur kelkaj vortoj: Unue, la produktoj estas tro diversaj! Unuavide, mi ne scias, kion ili faras. Nuntempe, H...Legu pli -
CVD silicio-karbura tegaĵo-2
CVD-siliciokarbura tegaĵo 1. Kial ekzistas silicia karbura tegaĵo La epitaksia tavolo estas specifa ununura kristala maldika filmo kreskigita surbaze de la oblato per la epitaksia procezo. La substratoblato kaj la epitaksia maldika filmo estas kolektive nomitaj epitaksaj oblatoj. Inter ili, la...Legu pli -
Prepara procezo de SIC-tegaĵo
Nuntempe, la preparmetodoj de SiC-tegaĵo ĉefe inkluzivas ĝel-solan metodon, enkonstruan metodon, brosan tegmetodon, plasman ŝprucigan metodon, kemian vaporreakcian metodon (CVR) kaj kemian vaporan deponan metodon (CVD). Enkonstrua metodo Ĉi tiu metodo estas speco de alt-temperatura solidfaza ...Legu pli -
CVD Silicon Carbide Tegaĵo-1
Kio estas CVD SiC La kemia vapora demetado (CVD) estas vakua demetprocezo uzata por produkti altpurajn solidajn materialojn. Tiu procezo ofte estas uzata en la semikonduktaĵa produktadkampo por formi maldikajn filmojn sur la surfaco de oblatoj. En la procezo de preparado de SiC per CVD, la substrato estas eksp...Legu pli -
Analizo de delokaĵstrukturo en SiC-kristalo per radiospuradsimulado helpita per Rentgenfota topologia bildigo
Esplora fono Aplika graveco de siliciokarbido (SiC): Kiel larĝa bandgap duonkondukta materialo, siliciokarbido altiris multe da atento pro siaj bonegaj elektraj trajtoj (kiel ekzemple pli granda bandgap, pli alta elektrona saturiĝa rapideco kaj termika kondukteco). Ĉi tiuj apogiloj...Legu pli -
Sema kristala preparado en SiC-unukristala kresko 3
Kontrolo de KreskoLa semaj kristaloj de siliciokarbido (SiC) estis preparitaj sekvante la skizitan procezon kaj validigitaj per SiC-kristala kresko. La kreskplatformo uzita estis memevoluinta SiC-indukta kreskoforno kun kreskotemperaturo de 2200 ℃, kreskopremo de 200 Pa, kaj kresko...Legu pli