CVD SiC Tegaĵo Epitaxial Deposition In Epitaxy Reactor System

CVD SiC Tegaĵo Epitaxial Depozicio En Epitaksia Reaktora Sistemo Elstara Bildo

Mallonga Priskribo:

Semicera ofertas ampleksan gamon da susceptoroj kaj grafitkomponentoj dizajnitaj por diversaj epitaksireaktoroj.

Per strategiaj partnerecoj kun industriaj gvidaj OEM-oj, ampleksa materiala kompetenteco kaj altnivelaj produktadkapabloj, Semicera liveras tajloritajn dezajnojn por plenumi la specifajn postulojn de via aplikaĵo. Nia engaĝiĝo al plejboneco certigas, ke vi ricevas optimumajn solvojn por viaj epitaksiaj reaktoraj bezonoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Nia kompanio provizasSiC tegaĵoprilabori servojn sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj per CVD-metodo, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicion povas reagi ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn Sic-molekulojn, kiuj povas esti deponitaj sur la surfaco de tegitaj materialoj por formiSiC protekta tavolopor barelo tipo hipnotika.

Ĉefaj trajtoj:

1 .Alta pureco SiC tegita grafito

2. Supera varmorezisto & termika unuformeco

3. BoneSiC kristala kovritapor glata surfaco

4. Alta fortikeco kontraŭ kemia purigado

CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor

Ĉefaj Specifoj deCVD-SIC Tegaĵo

SiC-CVD Propraĵoj
Kristala Strukturo	FCC β-fazo
Denso	g/cm³	3.21
Malmoleco	Vickers-malmoleco	2500
Grajna Grandeco	μm	2~10
Kemia pureco	%	99.99995
Varmo Kapacito	J·kg-1 ·K-1	640
Temperaturo de sublimado	℃	2700
Feleksura Forto	MPa (RT 4-punkto)	415
Modulo de Young	Gpa (4pt-kurbo, 1300℃)	430
Termika Vastiĝo (CTE)	10-6K-1	4.5
Termika kondukteco	(W/mK)	300