Silicia nitruro kunligita siliciokarbido
Si3N4 ligita SiC-ceramika obstina materialo, estas miksita kun alta pura SIC-fajna pulvoro kaj Silicia pulvoro, post glitiga kurso, reago sinterigita sub 1400 ~ 1500 °C.Dum la sinteriga kurso, plenigante la altan puran Nitrogenon en la fornon, tiam la silicio reagos kun Nitrogeno kaj generos Si3N4, Do Si3N4-ligita SiC-materialo estas kunmetita de silicia nitruro (23%) kaj siliciokarbido (75%) kiel ĉefa krudaĵo. , miksita kun organika materialo, kaj formita per miksaĵo, eltrudado aŭ verŝado, tiam farita post sekiĝo kaj nitrogenigo.
Karakterizaĵoj kaj avantaĝoj:
1.Halta temperaturo-toleremo
2.High termika kondukteco kaj ŝoko-rezisto
3.Alta mekanika forto kaj abraziorezisto
4.Bonega energia efikeco kaj koroda rezisto
Ni provizas altkvalitajn kaj precize maŝinprilaboritajn NSiC-ceramikajn komponentojn, kiuj procesas
1.Slip casting
2.Extruding
3.Uni Aksa Premado
4.Izostatika Premado
Materiala Datumfolio
| >Kemia Komponado | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Libera Si | 0% | |
| Granda denseco (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Ŝajna poreco (%) | 12～15 | |
| Kurbforto je 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Kurbforto je 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Kurbforto je 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Kunprema forto je 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Termika kondukteco ĉe 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Termika disvastigkoeficiento je 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Rezisto al termika ŝoko | Bonega | |
| Maks.temperaturo (℃) | 1600 | |
